OptiMOS™-T-P-Kanal-MOSFET mit höchster Strombelastbarkeit auf dem Markt
Die OptiMOS ™-T-P-Kanal-Automotive MOSFETs wurden zum Schutz der Fahrzeugelektronik gegen eine Verpolung des Batterieanschlusses entwickelt. Wird der Anschluss wie in der Abbildung dargestellt realisiert, blockieren die MOSFETs den in Gegenrichtung fließenden Strom vollständig. Der Verpolungsschutz des Batterieanschlusses spielt bei otorsteuerungsschaltungen eine entscheidende Rolle, da diese sonst bei falsch angeschlossener Batterie zerstört würden. Da P-Kanal-MOSFETs keine Ladungspumpe benötigen, können die Bausteine auch als kostengünstiger Ersatz für High-Side-N-Kanal MOSFETs eingesetzt werden. Wie alle Automotive-MOSFETs von Infineon sind diese Produkte in vollem Umfang für den Einsatz im Automotive-Bereich zugelassen (AEC Q101), bis 260 °C MSL1-fähig und entsprechen Umweltschutz- und RoHS-Richtlinien gleichermaßen.
Die wichtigsten Merkmale
- MOSFET mit niedrigem RDS(on) von 4 mΩ
- Gehäuse mit hoher Strombelastbarkeit für Durchkontaktierung oder Oberflächenmontage (SMT)
- Erheblich geringere Verluste als bei einem Verpolungsschutz mit Sperrdiode
- Aufgrund von Gate-Treiber mit Logikpegel ist keine Schnittstellenschaltung notwendig
- Kostengünstige Lösung bei Schaltanwendungen mit hohen Strömen
Anwendungsgebiete
- Verpolungsschutz im Automotive-Bereich
- High-Side-Schalter ohne Ladungspumpe
P-Kanal-MOSFET OptiMOS™-T mit 4 mΩ , zum Schutz vor Verpolung geschaltet
Bestellnummern
IPB100P03P3L-04 D2PAK SP000297635
IPP100P03P3L-04 TO220 SP000311114
IPI100P03P3L-04 TO262 SP000311117

